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os 管的损耗, 包括导通损耗和开关损耗。2) 二次侧整流二极管的损耗。3) 高频变压器的损耗, 主要包括铁损、铜损及漏感造成的损耗。为提高电源的效率, 主要需从这三个方面采取措施, 减小损耗。 2.2 控制方式及零电压开通设计 本设计中, 采用st 公司的l6562 作为主控芯片, l6562 是一款经济型功率因数校正控制器。反激式电源工作在不连续导电模式(dcm) , 通过前端emi 滤波器自动实现高的功率因数。 为减小初级mos 管损耗, 我们选用st 公司的mos 管stp11nm60 , 导通电阻0145 ω , 可以有效减少导通损耗, 并采用准谐振技术, 实现对mos 管的零电压开通, 可以最大限度地减小开关损耗。 自从20 世纪70 年代以来, 软开关得到了充分发展, 准谐振技术也有了成熟的应用。l6562 本身就具有零电压开通检测管脚, 可以较为方便地实现当mos 管漏极电压降到谷底时将其开通。 具体设计如图1 所示, 其中, t1 为变压器的一次侧绕组, t2 为辅助绕组。1) t0 ~ t1 时段, mos 管m1 开通, 整流输出电压uc 流经变压器
11.0A/600V
电流参数:ID=11A电压参数:UDS=600V/UGS=±30V功 率:Ptot=160W其他参数:10V/0.4Ω,trr=390ns极 性:N备 注:(STB11NK60)