SIHG20N50C-JSM
10000
TO247/24+
原装现货
SIHG20N50C-E3
36026
TO247/11+/CN
全新原装公司现货,特价大处理
SIHG20N50C
48000
TO3P/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务
SIHG20N50C-E3
1033
TO247/18+
全新原装现货
SIHG20N50C-E3
4000
TO247/2148+
-
SIHG20N50C-E3
60000
TO247/25+
特价原装现货，假一赔十
SIHG20N50C-E3
30000
TO247AC/23+
原厂渠道，现货，支持实单
SIHG20N50C-E3
15000
TO247/22+
原装 优势现货
SIHG20N50C-E3
32000
-/24+
原装现货，挂了就有，支持实单
SIHG20N50C
22358
TO247/22+
房间现货，价格优势。
SIHG20N50C
100
2010+/TO247
绝对优势原装现货
SIHG20N50C
51220
TO247/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
SIHG20N50C
51300
TO247/24+
原装现货，可提供订货服务
SIHG20N50C
9200
TO247/23+
只做原装更多数量在途订单
SIHG20N50C
349733
TO247/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
SIHG20N50C
5000
-/14+
原装正品，配单能手
SIHG20N50C
12500
-/24+
16年老牌企业 原装低价现货
SIHG20N50C
5000
TO247/23+
优势产品大量库存原装现货
SIHG20N50C
12260
TO247/23+
高品质 优选好芯
SIHG20N50C
53650
TO247/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货
SiHG20N50C
Power MOSFET
Vishay Intertechnology
SiHG20N50CPDF下载
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247
SIHG20N50C-E3PDF下载
日前，vishay intertechnology, inc.宣布，推出新型500v电压的功率mosfet——sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)、sihg20n50c，将该公司的6.2代n沟道平面fet技术延伸到to-220、to-220f和to-247封装上。 新的sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)和sihg20n50c具有500v的额定电压，在10v栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27ω。低rds(on)意味着更低的传导损耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(pfc)和脉宽调制(pmw)应用节约能量，这些应用包括lcd tv、pc机、服务器、通信系统和焊接机器。 除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nc。栅电荷与导通电阻的乘积是*价用于功率转换应用中mosfet的关键品质因数(fom)，这些器件的品质因数只有17.75。 为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(eas)和反复(ear)雪崩能量。器件可处理72a的脉冲电流和18a的连续电流
日前，vishay intertechnology, inc.宣布，推出新型500v电压的功率mosfet --- sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)、sihg20n50c，将该公司的6.2代n沟道平面fet技术延伸到to-220、to-220f和to-247封装上。 新的sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)和sihg20n50c具有500v的额定电压，在10v栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27ω。低rds(on)意味着更低的传导损耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(pfc)和脉宽调制(pmw)应用节约能量，这些应用包括lcd tv、pc机、服务器、通信系统和焊接机器。 除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nc。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中mosfet的关键品质因数(fom)，这些器件的品质因数只有17.75。 为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(eas)和反复(ear)雪崩能 量。器件可处理72a
日前，vishay intertechnology, inc.宣布，推出新型500v电压的功率mosfet——sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)、sihg20n50c，将该公司的6.2代n沟道平面fet技术延伸到to-220、to-220f和to-247封装上。 新的sihp18n50c(to-220)、sihf18n50c(to-220 fullpak)和sihg20n50c具有500v的额定电压，在10v栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27ω。低rds(on)意味着更低的传导损耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(pfc)和脉宽调制(pmw)应用节约能量，这些应用包括lcd tv、pc机、服务器、通信系统和焊接机器。 除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nc。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中mosfet的关键品质因数(fom)，这些器件的品质因数只有17.75。 为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(eas)和反复(ear)雪崩能量。器件可处理7
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