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NE3509M04 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH... CEL NE3509M04PDF下载
NE3509M04 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CH... CEL [California Eastern Labs] NE3509M04PDF下载
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NE3509M04-T2-A RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 17.5dB 1... NE3509M04-T2-APDF下载

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历史最低报价：￥1.5000 历史最高报价：￥20.0000 历史平均报价：￥7.7000

超低噪声的S频段放大器设计
了一个有0.77db噪声系数的低噪声放大器。制造商们一般会给出低噪声放大器的输入/输出匹配、噪声系数、增益、稳定性、1db压缩点、二阶和三阶互调分量、带外抑制，以及反向隔离等指标。这些参数中，很多是互相依赖的，因此在有限的时间内要满足所有这些设计标准，工作会很复杂(参考文献2和3)。图1给出了一种灵活的放大器结构，它能满足所有这些设计标准。图1，可以用gaas异质结fet设计一款低噪声s频段rf放大器。设计用microwave的office awr建立并仿真。nec的ne3509m04 gaashjfet(异质结场效应管)用作低噪声高增益晶体管。电抗匹配的放大器输入采用了数据表给出的最佳反射系数值，可提供低噪声和高增益。fet设计常用的方法包括有源偏置与自举，可防止漏源电流随温度而变化。而这种设计的结果是一种高性价比的小型自偏置电路，没有给电路增加复杂性。晶体管的偏置点是2v的漏源电压，漏极电流为15ma，此时晶体管提供约16.5db的可接受rf增益。电路的另一个设计目标是低噪声放大器的无条件稳定性。晶体管的内部反馈与带外频率上的过高增益都是这种电路不稳定的主要原因。

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