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摘要：在一些脱机运行的dsp应用中，通常需要在系统加电后自行将代码从外扩存储器中装载到内部dsp中去执行， 实现此种功能的系统称为引导装载系统。文中以ti公司的dsp (tms320vc5410)结合st公司的flash存储器(m29w400t)为例，给出了一个利用dsp软件编程实现对flash进行读写操作的通用引导装载系统设计方案。 关键词：dsp； flash； 引导装载； tms320vc5410； m29w400t 分类号：tp274 文献标识码：b 文章编号：1006-6977(2003)01-0015-05 1 概述 dsp系统的引导装载是指在系统加电后，系统自行将一段存储在外部非易失性存储器中的代码移植到内部dsp的高速ram中并执行的过程。因此，在引导装载系统中，外部非易失性存储器和dsp的性能显得尤为重要。flash存储器是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，而且单位存储比特的价格比传统的eprom要低，所以十分适合于作为外扩存储器。在系统加电之前，必须先将引导程序和用户程序写入flash中。编程时，除了可以利用专用的硬件编程器实现对flash的编程之外，flash通常还
量以及价格的限制，另一方面则在系统代码级上显得不是很灵活方便。flash是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，而且单位存储比特的价格比传统的eprom要低，十分适合于低功耗、小尺寸和高性能的便携式系统。除了可以采用专用的硬件编程器把代码灌入flash中之外，也可以利用现成的dsp通过软件编程来实现同样的功能。本文论述的正是如何通过dsp软件编程来实现对flash的读写操作，并介绍一个简单的系统引导装载方案的实现。 1 系统描述 本系统由dsp（tms320vc5410）及外部的flash（m29w400t）以及相关的电源管理单元等构成。dsp与flash的连接如图1所示。dsp与flash是主从关系，由dsp的相关输出管脚控制flash的擦除和读写。其中，a0～d15为数据线，/mstrb为存储选通信号，r/w是读写脉冲信号，/oe和/we分别为读使能和写使能，/ce为片使能，/byte为8位或16位数据模式选择（图中接高电压为16位模式）。flash用于存放引导程序段和用户代码，由dsp软件编程来写入。当系统脱机加电时，dsp首先从外部flash指定的引导程序段的起始位置处开始执行引导装载。
产品型号:M29W400DB55N6E
位密度:4M
结构:256Kx16, 512Kx8
工作电压(V):2.7~3.6
静态电流(uA):100
读取时间(ns):55
扇区擦除时间(ms):800
字编程时间(us):10
编程电流(mA):20
擦除电流(mA):20
封装/温度(℃):TSOP4...
格式和intel命令格式，在器件型号上，也有区分，带有m29f和m29w前缀的属于amd命令格式，而m28w前缀的属于intel格式，以下我们分别以m29w800和m28w800为例。 因为m29w系列的flash可以被设置成x8/x16位的数据总线宽度，所以在命令格式上也有两种形式，即8位模式和16位模式。 m29w641d m29w320 m29w160d m29w800 m29w400 m28w640 m28w320 m28w160 m28w800 a15 a15 a15 1 48 a16 a16 a16 a14 a14 a14 2 47 vddq /byte vccq a13 a13 a13 3 46 vss vss
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