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当前位置：维库电子市场网>IC>fcpf16n60nt 更新时间:2025-07-23 22:33:43

fcpf16n60nt供应商优质现货

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fcpf16n60nt中文资料

  • 标准包装:

    50

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    SupreMOS™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    600V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    16A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    199 毫欧 @ 8A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    52.3nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    2170pF @ 100V

  • 功率 - 最大:

    35.7W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220-3

  • 包装:

    管件

  • 其它名称:

    FCPF16N60NT-NDFCPF16N60NTFS

  • 飞兆推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来supremos新一代600v超级结mosfet系列产品。包括具有165mω最大阻抗的 fcp22n60n、fcpf22n60nt 和 fca22n60n，以及具有199mω最大阻抗的fcp16n60n和fcpf16n60nt。supremos系列器件兼具低rds (on) 和低总栅极电荷，相比飞兆半导体的600v superfet mosfet，品质因数(figure of merit, fom，即 rds (on) × qgd )降低了40%。supremos器件具有业界最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt，可以提高开关电源(smps)中谐振转换器、llc和移相(phase-shifted)全桥拓扑的可靠性。 相比superfet mosfet器件，supremos600v超级结mosfet在相同rds(on)下提供了更低的栅级电荷，并且具有出色的开关性能，能够将开关和传导损耗减少20%，从而提高效率。另外，supremos器件具有较低的输入和输出电容，能够提高轻负载条件下的效率

fcpf16n60nt替代型号

FCPF11N60F FCP22N60N FCP16N60N FCP11N60 FCH47N60F FCH47N60 FCH30A10 FCH10U10 FCH10A15 FCD4B14

FCPF22N60NT FCW301Z fd100 FD110 FD501 FD502 FD700 FDA18N50 FDB045AN FDB2614

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