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STD18NF25

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STD18NF25

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 250V 17A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD18NF25 概述

STD18NF25是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用D²PAK封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于高频开关应用。其最大漏极-源极电压为250V，连续漏极电流可达18A，非常适合用于电源转换器、电机驱动和逆变器等高压大电流场景。在实际应用中，建议将其用于高效DC-DC转换器或AC-DC整流电路中作为主开关管。设计时需注意栅极驱动电压的选择，以确保MOSFET能完全开启，降低导通损耗。同时，在布局PCB时应尽量减小源极和漏极之间的走线电感，避免开关过程中的电压尖峰对器件造成损害。此外，推荐并联适当的RC缓冲电路来抑制振荡，提高系统稳定性。

STD18NF25 规格参数

其它有关文件
STD18NF25 View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
165 毫欧 @ 8.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-10299-6

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