在当今时代，随着 AI 算力需求呈现爆发式增长，数据中心电力系统正面临着前所未有的挑战。为应对这一现状，安森美（onsemi）推出了 AI 数据中心，精准直击能效、尺寸等痛点问题，全力助力客户把握数据中心的市场机遇。

下方的框图展示了安森美推荐的 AI 数据中心解决方案，该图详细说明了 AI 数据中心采用的 AC - DC 转换与 DC - DC 配电级。安森美通过整合技术实现协同效应，其方案融合了先进的硅基（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率技术。同时，还集成了栅极驱动器、多相控制器及 48V 控制器、智能功率级（SPS）模块、智能熔丝以及负载点（PoL）降压转换器等多种。这种组合方案能够显著提升系统能效与功率密度，从而大幅缩减系统尺寸。

安森美凭借其业界的硅（Si）和碳化硅（SiC）技术，走在推动 AI 未来发展的前沿，为数据中心提供从电网到 GPU 的一整套电源解决方案（从 3kW 到 25 - 30kW HVDC）。其技术旨在满足 AI 驱动运算带来的激增电力需求，确保更高的效率和更低的总拥有成本（TCO）。通过专注于优化能源使用和提升功率密度，该解决方案不仅结构紧凑，还支持可持续的生态系统。

安森美的 12kW 电源单元（PSU）参考设计在市场上脱颖而出，凭借卓越的输出功率、先进的技术与高能效，成为现代数据中心的理想解决方案。12kW 的功率输出比竞争对手高出 50%，能够有效满足 AI 和云计算环境的严苛要求。该 12kW AI 云计算电源单元（PSU）通过集成先进的 M3S MOSFET + SiC JFET 器件，确保了卓越的性能，具备更高的开关频率和更强的热管理能力。其转换效率高达 98%，显著降低了能源成本和冷却需求。

其主要特性如下：

• 输入电压：VIN = 180 - 305 VAC
• 输入频率：FIN = 47 - 63 Hz
• 输入电流：IIN = 68 A
• 输出电压：VOUT = 50 V
• 峰值效率：98 %（@ 277 VIN 与 50% 负载）
• 总谐波失真（THD）：≤5% @ 30% 至 100% 输出功率
• 保持时间：20 ms @满载
• 外形尺寸：80 x 42 x 750 mm，功率密度达 75 W/in3

安森美的 650V M3S EliteSiC MOSFET 凭借卓越的开关性能和更低的器件电容，实现了更高的效率。这项前沿技术在 ORV3 电源单元（PSU）中实现了高达 97.5% 的峰值效率。在高速开关频率应用中，凭借业界的品质因数（Figure - of - Merit, FoM），在硬开关和软开关应用中均表现出色，在 PFC（功率因数校正）级效率可达 99.6%。此外，安森美高性能的 SiC 共源共栅（Cascode）JFET 具备高速开关、低导通电阻以及与现有驱动器兼容的优势，成为超大规模数据中心极具吸引力的解决方案，可显著降低系统成本并提供出色的能效。

750V SiC 共源共栅 JFET 在软开关应用中，能够实现成本与性能之间的平衡；在高压直流 HVDCORing（防止反向输入电流）应用中，实现成本与可靠性之间的平衡，同时保持与超级结 FET（SJ FET）相同的驱动兼容性。

安森美的这些电源解决方案在数据中心、服务器电源、云系统、电信、电动汽车充电、功率因数校正（PFC）、等众多领域都有着广泛的应用前景，为推动各行业的发展提供了有力的支持。